Varför lita på ditt företag till oss?
Vi tar paniken från upphandling. Vi lagerför miljontals svårtillgängliga delar från våra pålitliga källor. Vi uppdaterar våra produktlistor efter minuter, och köp online genomförs i realtid och skickas varje dag.
MFGChips grundades 2002 och är en lokal ledare inom distribution av elektroniska komponenter och är också erkänd som ett av de mest respekterade och innovativa företagen på den lokala marknaden idag. Med huvudkontor i Hong Kong har MFGChips fått ett imponerande rykte för att tillhandahålla enastående service och utveckla effektiva, omfattande globala leveranskedjelösningar.
Läs mer >
Pressar in minnesbandbredden i AI-eran
Med dubbla I/O-gränssnitt och förfinad lågspännings-TSV-design, omformar HBM4 hur minnesstackar upprätthåller genomströmning under skalbelastningar i datacenter.
Samsung Electronics har introducerat sitt HBM4-minne och påbörjat massproduktion, vilket markerar vad man beskriver som en branschförst för nästa generations minnesstandard med hög bandbredd.Enheten är inriktad på AI-beräkningar och arbetsbelastningar i datacenter som kräver högre genomströmning och energieffektivitet.
Byggd med hjälp av företagets sjätte generationens 10nm-klass DRAM-process (1c) och en 4nm logisk basmatris, är den nya minnesstacken designad för att maximera prestanda, tillförlitlighet och energieffektivitet.Arkitekturen ger en konsekvent dataöverföringshastighet på 11,7 Gbps, med prestanda skalbar upp till 13 Gbps.Detta överstiger branschens riktmärke på 8 Gbps med ungefär 46 % och representerar en ökning med 1,22 gånger jämfört med den maximala stifthastigheten på 9,6 Gbps för HBM3E.
Den totala bandbredden per stack når upp till 3,3 TB/s, en ökning med 2,7 gånger jämfört med föregångaren.Genom att använda 12-lagers staplingsteknik sträcker sig kapaciteten från 24GB till 36GB, med en framtida 16-lagerskonfiguration planerad att utöka kapaciteten upp till 48GB.
För att hantera dubbleringen av data-I/O från 1 024 till 2 048 stift, integrerades avancerade lågeffektdesigntekniker i kärnmatrisen.Minnet uppnår en 40 % förbättring av strömeffektiviteten genom lågspänningsgenom-kisel via (TSV)-teknik och optimering av kraftdistributionsnätverk.Det termiska motståndet förbättras med 10 %, medan värmeavledningen ökar med 30 % jämfört med HBM3E.
En tätt integrerad Design Technology Co-Optimization (DTCO) mellan gjuteri- och minnesdrift stöder avkastning och kvalitetskontroll, medan interna avancerade förpackningsmöjligheter hjälper till att effektivisera produktionscyklerna.
Sang Joon Hwang, Executive Vice President och Head of Memory Development på Samsung, säger: "Genom att utnyttja vår processkonkurrenskraft och designoptimering kan vi säkra ett betydande utrymme för prestanda, vilket gör det möjligt för oss att tillfredsställa våra kunders eskalerande krav på högre prestanda, när de behöver dem."