STTH810G

Mfr#	STTH810G
Mfr.	Storm Interface
Beskrivning	DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
RoHs status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Mer information	Leam mer om STMicroelectronics STTH810G

Datablad	STTH810G.pdf

Beskrivning

Vi kan leverera STTH810G, använda formuläret för offertförfrågan för att begära STTH810G pirce och ledtid. MFGChips är en professionell distributör av elektroniska komponenter. Med 7+ miljoner rader med tillgängliga elektroniska komponenter kan skickas på kort ledtid, över 250 tusen delar av elektroniska komponenter i lager för omedelbar leverans, vilket kan inkludera artikelnummer STTH810G. Priset och ledtiden för STTH810G beroende på kvantitet krävs, tillgänglighet och lagerplats.Kontakta oss idag och vår säljare kommer att ge dig pris och leverans på del # STTH810G. Vi ser fram emot att samarbeta med dig för att upprätta långsiktiga samarbetsrelationer.

Vänligen fyll i alla obligatoriska fält med din kontaktinformation. Klicka på "RFQ" kommer vi att kontakta dig snart via e-post. Eller maila oss: .

~~I lager:~~5282 pcs
~~På beställning:~~0 pcs
~~Minimum:~~1 pcs
~~multiplar:~~1 pcs
~~Fabriks ledtid::~~Call

Använd nedanstående formulär för att skicka en begäran om offert

Produktparameter
Relaterade produkter

Artikelnummer	STTH810G
Tillverkare	Storm Interface
Beskrivning	DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Ledningsfri status / RoHS-status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Tillgänglig kvantitet	5282 pcs
Datablad	STTH810G.pdf
Spänning - Peak Reverse (Max)	Standard
Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om	8A
Spänning - Uppdelning	D2PAK
Serier	-
RoHS-status	Tube
Omvänd återställningstid (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Motstånd @ Om, F	-
Polarisering	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Driftstemperatur - korsning	85ns
Monteringstyp	Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	3 (168 Hours)
Tillverkarens varunummer	STTH810G
Utvidgad beskrivning	Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK
Diodkonfiguration	5µA @ 1000V
Beskrivning	DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Ström - Omvänd läckage @ Vr	2V @ 8A
Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)	1000V (1kV)
Kapacitans @ Vr, F	175°C (Max)