2SC2229(TE6SAN1F,M

Mfr#	2SC2229(TE6SAN1F,M
Mfr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivning	TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
RoHs status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Mer information	Leam mer om Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229(TE6SAN1F,M

Datablad	2SC2229(TE6SAN1F,M.pdf

Beskrivning

Vi kan leverera 2SC2229(TE6SAN1F,M, använda formuläret för offertförfrågan för att begära 2SC2229(TE6SAN1F,M pirce och ledtid. MFGChips är en professionell distributör av elektroniska komponenter. Med 7+ miljoner rader med tillgängliga elektroniska komponenter kan skickas på kort ledtid, över 250 tusen delar av elektroniska komponenter i lager för omedelbar leverans, vilket kan inkludera artikelnummer 2SC2229(TE6SAN1F,M. Priset och ledtiden för 2SC2229(TE6SAN1F,M beroende på kvantitet krävs, tillgänglighet och lagerplats.Kontakta oss idag och vår säljare kommer att ge dig pris och leverans på del # 2SC2229(TE6SAN1F,M. Vi ser fram emot att samarbeta med dig för att upprätta långsiktiga samarbetsrelationer.

Vänligen fyll i alla obligatoriska fält med din kontaktinformation. Klicka på "RFQ" kommer vi att kontakta dig snart via e-post. Eller maila oss: .

~~I lager:~~4244 pcs
~~På beställning:~~0 pcs
~~Minimum:~~1 pcs
~~multiplar:~~1 pcs
~~Fabriks ledtid::~~Call

Använd nedanstående formulär för att skicka en begäran om offert

Produktparameter
Relaterade produkter

Artikelnummer	2SC2229(TE6SAN1F,M
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivning	TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Ledningsfri status / RoHS-status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Tillgänglig kvantitet	4244 pcs
Datablad	2SC2229(TE6SAN1F,M.pdf
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 1mA, 10mA
Transistortyp	NPN
Leverantörs Device Package	TO-92MOD
Serier	-
Effekt - Max	800mW
Förpackning	Bulk
Förpackning / Fodral	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andra namn	2SC2229(TE6SAN1FM 2SC2229TE6SAN1FM
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status	Lead free / RoHS Compliant
Frekvens - Övergång	120MHz
detaljerad beskrivning	Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Nuvarande - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)	50mA