Varför lita på ditt företag till oss?
Vi tar paniken från upphandling. Vi lagerför miljontals svårtillgängliga delar från våra pålitliga källor. Vi uppdaterar våra produktlistor efter minuter, och köp online genomförs i realtid och skickas varje dag.
MFGChips grundades 2002 och är en lokal ledare inom distribution av elektroniska komponenter och är också erkänd som ett av de mest respekterade och innovativa företagen på den lokala marknaden idag. Med huvudkontor i Hong Kong har MFGChips fått ett imponerande rykte för att tillhandahålla enastående service och utveckla effektiva, omfattande globala leveranskedjelösningar.
Läs mer >
SIC MOSFET -familj för kraftkonvertering
AEC-Q101 Kvalificerad naken die och diskreta förpackade enheter genomgår WLBI-screening och testas för lavinavdelningsspänning som överstiger 2200 V.
SEMIQ Inc. har introducerat en ny familj på 1700 V SIC MOSFETS utformad för att förbättra mediumspänning, högeffektkonverteringsapplikationer.Dessa inkluderar fotovoltaiska och vindinverterare, energilagring, elfordon (EV) och vägladdning vid väg, oavbruten strömförsörjning (UPS) och induktionsvärme/svetssystem.
Den höghastighets QSIC 1700 V MOSFETS har en plan D-MOSFET-design, optimering av systemstorlek, effektdensitet och kostnadseffektivitet i storskaliga applikationer.Deras pålitliga kroppsdiode fungerar upp till 175 ° C, med komponenter noggrant testade för att överstiga 1900 V, och UL Avalanche-testad till 600 MJ, vilket säkerställer hållbarhet och robust prestanda.
De viktigaste specifikationerna är:
Aluminium toppsida, nickel/silver undersidan
Power Dissipation: 564 W
Kontinuerlig dräneringsström: 83 A @ 25 ° C
Pulserad dräneringsström: 250 a
Grindtröskelspänning: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ @ 25 ° C
Snabb omvänd återhämtningstid: 17 ns
Läckage med låg grind
Finns i både Bare Die (GP2T030A170X) och TO-247-4L Packaged Forms (GP2T030A170H), QSIC 1700 V-enheter finns också i en AEC-Q101-bilkvalificerad version (AS2T030A170X och AS2T0A170H).Dessa enheter erbjuder låg switching och ledningsförluster, minskad kapacitans och robust grindoxid för förbättrad långvarig tillförlitlighet.Alla komponenter genomgår förbränning på skivnivå (WLBI) för att eliminera svaga oxidanordningar, vilket garanterar optimal prestanda.
Dessutom har SEMQ meddelat tre kraftmoduler utformade för att förenkla systemintegration.Dessa inkluderar en standard-fotprint 62 mm halvbryggmodul med en isolerad basplatta och två SOT-227-förpackade kraftmoduler, som förbättrar effekttätheten och förenklar monteringsprocesserna.
Power-modulerna ger högre effektavdelning, med SOT-227-versionerna som erbjuder en kraftfördelning av 652 W och halvbronmodulen som ger upp till 2113 W av spridning, vilket säkerställer förbättrad termisk hantering för högpresterande tillämpningar.
SEMIQ Inc. har introducerat en ny familj på 1700 V SIC MOSFETS utformad för att förbättra mediumspänning, högeffektkonverteringsapplikationer.Dessa inkluderar fotovoltaiska och vindinverterare, energilagring, elfordon (EV) och vägladdning vid väg, oavbruten strömförsörjning (UPS) och induktionsvärme/svetssystem.
Den höghastighets QSIC 1700 V MOSFETS har en plan D-MOSFET-design, optimering av systemstorlek, effektdensitet och kostnadseffektivitet i storskaliga applikationer.Deras pålitliga kroppsdiode fungerar upp till 175 ° C, med komponenter noggrant testade för att överstiga 1900 V, och UL Avalanche-testad till 600 MJ, vilket säkerställer hållbarhet och robust prestanda.
De viktigaste specifikationerna är:
Aluminium toppsida, nickel/silver undersidan
Power Dissipation: 564 W
Kontinuerlig dräneringsström: 83 A @ 25 ° C
Pulserad dräneringsström: 250 a
Grindtröskelspänning: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ @ 25 ° C
Snabb omvänd återhämtningstid: 17 ns
Läckage med låg grind
Finns i både Bare Die (GP2T030A170X) och TO-247-4L Packaged Forms (GP2T030A170H), QSIC 1700 V-enheter finns också i en AEC-Q101-bilkvalificerad version (AS2T030A170X och AS2T0A170H).Dessa enheter erbjuder låg switching och ledningsförluster, minskad kapacitans och robust grindoxid för förbättrad långvarig tillförlitlighet.Alla komponenter genomgår förbränning på skivnivå (WLBI) för att eliminera svaga oxidanordningar, vilket garanterar optimal prestanda.
Dessutom har SEMQ meddelat tre kraftmoduler utformade för att förenkla systemintegration.Dessa inkluderar en standard-fotprint 62 mm halvbryggmodul med en isolerad basplatta och två SOT-227-förpackade kraftmoduler, som förbättrar effekttätheten och förenklar monteringsprocesserna.
Power-modulerna ger högre effektavdelning, med SOT-227-versionerna som erbjuder en kraftfördelning av 652 W och halvbronmodulen som ger upp till 2113 W av spridning, vilket säkerställer förbättrad termisk hantering för högpresterande tillämpningar.