EMH11T2R

Mfr#	EMH11T2R
Mfr.	LAPIS Semiconductor
Beskrivning	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
RoHs status	/ Överensstämmer med RoHS
Mer information	Leam mer om LAPIS Semiconductor EMH11T2R

Datablad	1.EMH11T2R.pdf
	2.EMH11T2R.pdf

Beskrivning

Vi kan leverera EMH11T2R, använda formuläret för offertförfrågan för att begära EMH11T2R pirce och ledtid. MFGChips är en professionell distributör av elektroniska komponenter. Med 7+ miljoner rader med tillgängliga elektroniska komponenter kan skickas på kort ledtid, över 250 tusen delar av elektroniska komponenter i lager för omedelbar leverans, vilket kan inkludera artikelnummer EMH11T2R. Priset och ledtiden för EMH11T2R beroende på kvantitet krävs, tillgänglighet och lagerplats.Kontakta oss idag och vår säljare kommer att ge dig pris och leverans på del # EMH11T2R. Vi ser fram emot att samarbeta med dig för att upprätta långsiktiga samarbetsrelationer.

Vänligen fyll i alla obligatoriska fält med din kontaktinformation. Klicka på "RFQ" kommer vi att kontakta dig snart via e-post. Eller maila oss: .

~~I lager:~~157946 pcs
~~På beställning:~~0 pcs
~~Minimum:~~1 pcs
~~multiplar:~~1 pcs
~~Fabriks ledtid::~~Call

Använd nedanstående formulär för att skicka en begäran om offert

Produktparameter
Relaterade produkter

Artikelnummer	EMH11T2R
Tillverkare	LAPIS Semiconductor
Beskrivning	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Ledningsfri status / RoHS-status	/ Överensstämmer med RoHS
Tillgänglig kvantitet	157946 pcs
Datablad	1.EMH11T2R.pdf 2.EMH11T2R.pdf
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)	50V
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistortyp	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverantörs Device Package	EMT6
Serier	-
Motstånd - Emitterbas (R2)	10 kOhms
Motstånd - Bas (R1)	10 kOhms
Effekt - Max	150mW
Förpackning	Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral	SOT-563, SOT-666
Andra namn	EMH11T2R-ND EMH11T2RTR
Monteringstyp	Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid	10 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status	Lead free / RoHS Compliant
Frekvens - Övergång	250MHz
detaljerad beskrivning	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Nuvarande - Collector Cutoff (Max)	500nA
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)	100mA
Bas-delenummer	*MH11