TK39A60W,S4VX

Mfr#	TK39A60W,S4VX
Mfr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
RoHs status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Mer information	Leam mer om Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX

Datablad	TK39A60W,S4VX.pdf

Beskrivning

Vi kan leverera TK39A60W,S4VX, använda formuläret för offertförfrågan för att begära TK39A60W,S4VX pirce och ledtid. MFGChips är en professionell distributör av elektroniska komponenter. Med 7+ miljoner rader med tillgängliga elektroniska komponenter kan skickas på kort ledtid, över 250 tusen delar av elektroniska komponenter i lager för omedelbar leverans, vilket kan inkludera artikelnummer TK39A60W,S4VX. Priset och ledtiden för TK39A60W,S4VX beroende på kvantitet krävs, tillgänglighet och lagerplats.Kontakta oss idag och vår säljare kommer att ge dig pris och leverans på del # TK39A60W,S4VX. Vi ser fram emot att samarbeta med dig för att upprätta långsiktiga samarbetsrelationer.

Vänligen fyll i alla obligatoriska fält med din kontaktinformation. Klicka på "RFQ" kommer vi att kontakta dig snart via e-post. Eller maila oss: .

~~I lager:~~4871 pcs
~~På beställning:~~0 pcs
~~Minimum:~~1 pcs
~~multiplar:~~1 pcs
~~Fabriks ledtid::~~Call

Använd nedanstående formulär för att skicka en begäran om offert

Produktparameter
Relaterade produkter

Artikelnummer	TK39A60W,S4VX
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Ledningsfri status / RoHS-status	Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Tillgänglig kvantitet	4871 pcs
Datablad	TK39A60W,S4VX.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
Vgs (Max)	±30V
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package	TO-220SIS
Serier	DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 19.4A, 10V
Effektdissipation (Max)	50W (Tc)
Förpackning	Tube
Förpackning / Fodral	TO-220-3 Full Pack
Andra namn	TK39A60W,S4VX(M TK39A60WS4VX
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstyp	Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status	Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
FET-typ	N-Channel
FET-funktionen	-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)	10V
Avlopp till källspänning (Vdss)	600V
detaljerad beskrivning	N-Channel 600V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C	38.8A (Ta)